智通财经APP获悉，招商证券发布研报称，2026年一季度以来，各类存储产品价格环比急剧上涨，目前在能见度范围内今年存储价格持续上涨可期，同时2026年全球新增供给有限，预计存储紧缺趋势将延续至2027年。在价格与需求共振情况下，今年海内外存储将迎来业绩释放大年，后续市场价格趋势和各环节公司业绩增长持续性是核心关注点，建议关注存储+设备+产业链三大核心环节相关公司。
招商证券主要观点如下：
英伟达存储机柜和DS Engram模块均展现AI数据中心多级存储架构演变趋势，NAND在数据中心重要性日益凸显
2026年存储新增产能有限，海外原厂因技术转移等因素使得有效产能释放滞后，供需缺口预计将延续至2027年，原厂库存持续紧张，下游模组厂等开启战略备货以应对客户需求。供需结构的变化进一步支撑2026年合约价上行趋势，带动产业链公司业绩稳步增长，建议关注海外存储/国内模组/利基存储和上游设备/材料等产业链公司。
需求端：AI推理驱动存储需求成倍增长，NAND成数据中心容量底座
AI推理驱动存储架构向“HBM+DRAM+NAND”三级金字塔架构演进，RAG与长上下文确立了大容量NAND在降本增效与解决“模型幻觉”中的核心地位。技术层面，多模态视频生成带来百倍内存需求，英伟达Rubin平台引入每GPU16TB独立存储机柜，以及DeepSeek Engram架构利用DRAM/SSD卸载HBM压力，均验证了“以大容量廉价存储换取算力效率”的技术路径，单机存储搭载量呈指数级跃升。
行业层面，NAND正式迈入ZB级数据时代，数据中心将取代移动端成为更大单一市场，预计2026年服务器DRAM占比将突破50%。中长期全球存储位元需求CAGR将维持在20%水位，其中数据中心DRAM与NAND在2023-2030年的CAGR预计分别达28.3%与32.6%，远超传统终端增速。
供给端：2026年资本开支加速但有效产能释放滞后，供需错配驱动全球存储链维持卖方市场格局
2026年三大原厂资本开支显著提速，根据TrendForce预测，三星、海力士与美光预计分别投入200亿美元(同比+11%)、205亿美元(同比+17%)及135亿美元(同比+23%)，但投资重心高度集中于HBM及向DRAM等先进制程的技术转移，新建产能释放需至2027年以后，导致短期有效供给弹性严重受限，行业供给缺口预计将延续至2027年。受产能瓶颈制约，2026年DRAM与NAND位元出货量增速预计均维持在20%左右，且AI服务器需求爆发推动服务器端在DRAM与NAND位元出货占比中均超过45%，供需错配将有力支撑行业延续卖方市场格局。
库存端：产业链库存呈现显著的分化特征，原厂库存紧张将贯穿2026全年
原厂库存水位持续回落，服务器DRAM与NAND紧缺趋势预计将贯穿2026全年，奠定长期卖方市场基础；中下游台厂与中国内地厂商普遍积极备货，其中中国内地模组厂Q3库存累计同比高增34%创历史新高，以应对2026年供需缺口，后续有望在价格上行周期中通过低成本库存重估，释放巨大的利润弹性。
价格端：AI产能挤占效应导致供需缺口持续扩大，26Q1合约价环比高增
现货价格方面，虽然DDR4价格首次出现小幅回调，但原厂供应停滞支撑整体价格维持高位，并不影响整体价格走势；合约价格方面，在服务器强劲需求拉动下呈现急剧上涨态势，预计26Q1DRAM与NAND合约价环比涨幅将分别高达90-95%与55-60%。随着产能瓶颈向PC与移动端传导，全品类价格有望面临普涨。
销售端：供需错配驱动全产业链量价齐升，原厂LTA锁定高增，中下游业绩弹性加速释放
根据TrendForce预测，在存储价格与需求的持续推升下，2026年DRAM与Flash产值预计达5516亿美元，同增134%，2027年将再创高峰达8427亿美元，同增53%。
2025Q4全球存储链正式步入业绩爆发期，原厂端(三星/海力士/美光/南亚科)营收与利润均创历史新高，受益于AI需求爆发与客户长协锁单，增长确定性与持续性显著增强；台股与中国内地利基及模组厂商凭借战略库存优势，在供需错配驱动的涨价潮中实现盈利能力的大幅修复。随着原厂产能向高端倾斜导致通用产品持续紧缺，2026年全行业量价齐升进一步走强，中下游厂商业绩向上斜率明确。
风险提示
AI算力资本开支不及预期，库存减值风险，国际贸易摩擦与供应链波动，行业竞争加剧，汇率波动风险，价格下行的风险。
